Ulepszony ORB

16 lutego 2009, 12:37

NEC informuje o dokonaniu przełomu w technologii ogniw ORB (organic radical battery). ORB to elastyczne baterie, które przypominają urządzenie litowo-jonowe, jednak nie zawierają szkodliwych dla środowiska pierwiastków (np. kobaltu czy litu), a wykorzystują organiczny składnik PTMA. Zalety ORB to również ich niewielkie rozmiary i krótki czas ładowania.



Słoń afrykański

Miłosne wibracje

13 lutego 2009, 21:56

Jak przekazać komuś na odległość, że chce się z nim spędzić resztę życia, gdy nie ma się do dyspozycji poczty ani dostępu do Internetu? Słonie afrykańskie wykorzystują w tym celu... "pozytywne wibracje". Mówiąc ściślej, wytwarzają drgania gruntu, które mogą przebyć kilka kilometrów i dotrzeć do odległego adresata.


SanDisk prezentuje przełomowe pamięci flash

12 lutego 2009, 17:41

Podczas International Solid State Circuits Conference San Disk zaprezentował wyjątkowo gęste pamięci flash. Firma w pojedynczej komórce upakowała cztery bity, podczas gdy w obecnie wykorzystywanych kościach znajdują się 1-2 bitów.


© Intel

Intel pokazał 32-nanometrowe układy

11 lutego 2009, 15:56

Intel pokazał pierwsze gotowe próbki 32-nanometrowych procesorów Clarkdale i Arrendale. Seryjna produkcja układów rozpocznie się w czwartym kwartale bieżącego roku.


Powstała pamięć RRAM?

10 lutego 2009, 11:55

Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).


Rambus zwiększa możliwości

6 lutego 2009, 10:34

Rambus informuje o opracowaniu technologii pozwalającej na stworzenie superszybkich i energooszczędnych układów pamięci dla telefonów komórkowych i innych urządzeń przenośnych. Technologia Rambusa umożliwi stworzenie układu o przepustowości 17 gigabajtów na sekundę.


4 gigabity w jednej kości

29 stycznia 2009, 13:50

Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.


Najmniejsze paliwowe

28 stycznia 2009, 11:34

Na University of Illinois w Urbana-Champaign powstało najmniejsze znane nam ogniwo paliwowe. To kostka o wymiarach 3x3x1 milimetr.


Wnętrze nanorurki

Nanorurki jak flash

27 stycznia 2009, 19:10

Naukowcy z Finlandii stworzyli pamięć masową z węglowych nanorurek, której prędkość pracy dorównuje kartom pamięci czy klipsom USB. Odczyt i kasowanie danych odbywa się w ciągu 100 nanosekund, czyli 100 000 razy szybciej, niż wcześniej wyprodukowane nanorurkowe pamięci masowe. Fińskie urządzenie wytrzymuje ponad 10 000 cykli zapisu/kasowania.


Przełomowa czaszka

20 stycznia 2009, 12:22

Czy jedna czaszka może zmienić podstawy wiedzy o ewolucji kręgowców? Okazuje się, że tak. Znany dzisiaj podział na ryby kostne i chrzęstne jest powszechnie stosowany w celu usystematyzowania wiedzy ichtiologicznej, a naukowcy przypuszczali, że nie zmieniał się on od milionów lat.


Zostań Patronem

Od 2006 roku popularyzujemy naukę. Chcemy się rozwijać i dostarczać naszym Czytelnikom jeszcze więcej atrakcyjnych treści wysokiej jakości. Dlatego postanowiliśmy poprosić o wsparcie. Zostań naszym Patronem i pomóż nam rozwijać KopalnięWiedzy.

Patronite

Patroni KopalniWiedzy